美光周四表示，它将在该公司的总部城市爱达荷州博伊西附近建造一座全新的领先内存工厂。该晶圆厂将耗资美光 150 亿美元，并将在本世纪末投产。

新的美光内存工厂将位于该公司总部附近的主要研发中心附近，预计将提高运营效率，加快技术部署并缩短上市时间。事实上，这家新工厂将成为世界上少数位于主要研发中心附近的半导体生产设施之一。美光拥有的另一个类似地点——同时拥有研发和大批量制造业务——位于日本广岛附近。

美光将在新的制造工厂投资 150 亿美元，它还有望通过《芯片和科学法案》以及爱达荷州提供的激励措施获得联邦拨款和信贷。也就是说，晶圆厂的总成本将超过 150 亿美元。

美光将其新项目称为“领先的内存制造工厂”，但没有透露它将生产哪种类型的内存。同时，它表示将雇用 2,000 名工人，并将在本十年末投入运营，如果该公司在 2023 年初开始建设，这可能意味着 2026 年，如果建设晚一些，则可能意味着 2029 年。无论如何，旨在在未来 10 年左右制造内存的 DRAM 生产设施注定要为极紫外 (EUV) 光刻工具做好准备。

美光没有透露计划在其新工厂生产 DRAM 设备的 3D NAND 内存。大批量生产 3D NAND 需要更多的化学气相沉积 (CVD) 和蚀刻机，而 DRAM 需要更多的光刻工具，因此不同类型的存储器需要不同的洁净室配置。近年来，三星和 SK 海力士建造的晶圆厂可以从 3D NAND 重新配置为 DRAM，反之亦然，但我们不知道美光是否就是这种情况。

目前美光在全球拥有五家晶圆制造厂：新加坡的两家 3D NAND 晶圆厂、日本广岛附近的 DRAM 晶圆厂和台湾(台中附近和桃园附近)的两家 DRAM 晶圆厂。